输入电压范围：4.5V ~ 23V
　　输出电压范围：0.76V ~ 10V
　　最大输出电流：5A
　　开关频率：典型值为500kHz（可调）
　　反馈基准电压：0.76V ±1%
　　工作温度范围：-40°C ~ 125°C
　　封装类型：20-lead QFN

RT8035GQW具备宽输入电压范围，适用于多种电源应用，包括适配器供电系统和电池供电设备。其内部集成的高端和低端MOSFET降低了外部组件数量，简化了电路设计并提高了系统效率。该芯片支持可调开关频率，允许用户根据具体应用需求优化电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的设计。此外，RT8035GQW采用了先进的电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应和良好的环路稳定性。
　　为了提高系统的可靠性和安全性，RT8035GQW内置多种保护功能，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）和欠压锁定（UVLO）。这些保护机制可以有效防止芯片在异常工作条件下损坏。此外，芯片还支持软启动功能，防止上电时产生过大的浪涌电流。
　　RT8035GQW在轻载条件下可自动进入节能模式，从而降低静态电流并提高整体效率，非常适合对功耗敏感的应用。其反馈参考电压具有±1%的高精度，确保了输出电压的稳定性。同时，芯片具有良好的热性能，能够在较高环境温度下稳定工作。

RT8035GQW广泛应用于需要高效、紧凑型DC-DC转换方案的电子设备中。常见的应用包括工业自动化设备、通信基础设施、便携式医疗设备、笔记本电脑及周边设备、电池管理系统以及各种中高功率密度的电源模块。由于其宽输入电压范围和高输出电流能力，该芯片也适用于基于锂离子电池或多节电池供电的系统。

RT8035GQW的替代型号包括RT8035GSP（SSOP封装）、RT8058（高集成度替代品）、TPS54560（德州仪器同类产品）等。