时间：2025/8/6 9:32:21
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IXFX24N90Q 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用中。这款晶体管以其高耐压、低导通电阻以及高效的开关性能而闻名。IXFX24N90Q 采用 TO-247 封装形式，适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制、电机驱动、电源转换和开关电源（SMPS）等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极-源极电压 VDS：900V
最大连续漏极电流 ID：24A（Tc=25°C）
最大栅极-源极电压 VGS：±30V
导通电阻 RDS(on)：典型值为 0.38Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXFX24N90Q 的设计针对高功率应用进行了优化，具备出色的热稳定性和耐久性。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率，从而在高负载情况下保持较低的温升。此外，该器件具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，提高整体性能。
该 MOSFET 还采用了先进的沟槽式技术，提供更高的电流密度和更低的开关损耗。TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。此外，IXFX24N90Q 的高雪崩耐受能力确保其在极端工作条件下仍能保持稳定运行。
在安全性和可靠性方面，IXFX24N90Q 支持宽范围的栅极驱动电压，并具备良好的抗过载能力。其设计符合 RoHS 环保标准，适合现代工业和电力电子设备对环保和可持续性的要求。
IXFX24N90Q 常用于需要高电压和高效率的功率电子系统中。例如，它广泛应用于开关电源（SMPS）、工业电机驱动器、直流到交流逆变器、电焊设备、太阳能逆变器和高压直流电源等场景。此外，该器件还适用于电动工具、不间断电源（UPS）系统以及各种高功率 DC-DC 转换器的设计。
由于其出色的热管理和高耐压特性，IXFX24N90Q 也适用于需要长时间运行和高可靠性的工业自动化系统和电力控制设备。它的快速开关特性使其成为高频开关应用的理想选择，能够在不牺牲效率的情况下实现紧凑的电路设计。
IXFX24N90P, IXFN24N90Q, IXFH24N90Q
