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DMC3035LSD-13 发布时间 时间:2025/6/29 0:17:54 查看 阅读:7

DMC3035LSD-13是一种基于硅工艺制造的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于高功率开关电路、电源转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的封装技术,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压的特点,从而提升了系统的效率和可靠性。
  DMC3035LSD-13的设计特别适合于需要高效能与高稳定性的工业应用场合,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、LED照明驱动以及电动车动力系统等。此外,它还具备良好的热性能和抗电磁干扰能力。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:700V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:8.5A
  导通电阻Rds(on):0.45Ω(在Vgs=10V时)
  输入电容Ciss:3000pF
  总功耗Ptot:200W
  工作温度范围Tj:-55℃ to +150℃

特性

DMC3035LSD-13的主要特性包括:
  1. 高耐压能力:支持高达700V的工作电压,适用于高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻:在典型条件下,其导通电阻仅为0.45Ω,从而减少了导通损耗并提高了效率。
  3. 快速开关性能:由于较低的输入电容和优化的内部结构设计,该器件能够实现快速的开关切换,减少开关损耗。
  4. 强大的散热能力:通过改进的封装材料和布局,确保在高温环境下依然可以稳定运行。
  5. 高可靠性:经过严格的测试和筛选流程,保证产品在恶劣条件下的长期稳定性。

应用

DMC3035LSD-13适用于以下主要应用领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主功率开关元件,在各类AC/DC和DC/DC转换器中发挥关键作用。
  2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型电机的速度和方向。
  3. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)中的功率输出级。
  4. 新能源领域:包括太阳能微逆变器和储能系统中的电池管理单元。
  5. 汽车电子:如电动车的车载充电器和牵引逆变器等部件。

替代型号

DMC3036LSD-13, DMC3035HSD-13, IRFP460

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DMC3035LSD-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.9A,5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 6.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds384pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)