型号: IXFX24N120Q2
　　类型: N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）: 1200V
　　栅源电压（VGS）: ±20V
　　连续漏极电流（ID）: 24A
　　峰值漏极电流（IDM）: 96A
　　导通电阻（RDS(on)）: 0.38Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）: 300W
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装类型: TO-247

IXFX24N120Q2采用了IXYS的TrenchMOS技术，提供低导通电阻和快速开关性能，从而降低导通损耗和开关损耗，提高整体系统效率。
　　该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，确保在极端工作条件下仍能稳定运行。
　　其栅极设计优化，具备良好的抗dv/dt能力，减少误触发风险，提高系统的可靠性。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，配合TO-247封装的高效散热能力，可在高温环境下持续工作。
　　IXFX24N120Q2还具有较高的短路耐受能力，适用于需要频繁开关或存在瞬态过载的应用场景。

IXFX24N120Q2广泛应用于多种高功率电子系统中，如工业变频器、电机控制、不间断电源（UPS）、可再生能源系统（如光伏逆变器）以及电焊设备等。
　　在工业自动化设备中，该MOSFET可用于DC-AC逆变电路或DC-DC转换模块，实现高效能的电能转换。
　　在新能源领域，IXFX24N120Q2可作为太阳能逆变器中的核心开关器件，将直流电转换为交流电并馈入电网。
　　在电动汽车相关设备中，该器件可用于车载充电器或电机控制器，提供高效率和高可靠性的功率转换。
　　此外，该MOSFET也可用于高功率开关电源（SMPS）设计，适用于服务器电源、通信设备电源等应用场景。

IXFN24N120Q2, IXFK24N120Q2