MMBZ12VAL,215是一款由Nexperia(原Philips Semiconductors)制造的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和保护电路。这款齐纳二极管具有低动态阻抗和良好的温度稳定性,适用于需要精确电压参考和稳定输出电压的应用场景。MMBZ12VAL,215的封装形式为SOD123,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式设备、电源管理电路和工业控制系统。
齐纳电压:12V
齐纳电流(最大):200mA
额定功耗:300mW
工作温度范围:-65°C至+150°C
封装类型:SOD123
动态阻抗:约9Ω
漏电流(VR):最大100nA
电压容差:±5%
MMBZ12VAL,215齐纳二极管具有多项优异的电气和机械特性,确保其在各种应用中表现出色。首先,其低动态阻抗(约9Ω)可提供稳定的电压输出,即使在负载变化时也能保持较小的电压波动。其次,该器件的漏电流非常低,在反向工作电压下的最大漏电流仅为100nA,适用于对功耗和漏电流要求较高的电路设计。
该齐纳二极管采用SOD123表面贴装封装,具有体积小、重量轻、易于自动化装配等优点,适用于高密度PCB布局。其额定功耗为300mW,可在-65°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车级应用环境。
此外,MMBZ12VAL,215的电压容差为±5%,提供较高的电压精度,适合用于电压参考、稳压电源、过压保护电路以及模拟和数字电路中的电压钳位应用。其快速响应时间和良好的温度稳定性使其在高频开关电源和DC-DC转换器中也表现出色。
MMBZ12VAL,215广泛应用于需要稳定电压参考和过压保护的电路中。常见的应用场景包括开关电源、电池供电设备、电压调节模块、微控制器系统和传感器电路。该器件也常用于汽车电子系统、工业控制设备和通信设备中,用于保护敏感的电子元件免受电压浪涌和静电放电(ESD)的影响。
由于其良好的温度稳定性和低动态阻抗,MMBZ12VAL,215也适用于需要高精度电压参考的设计,如测量仪器、数据采集系统和精密模拟电路。在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和穿戴设备中,该齐纳二极管可用于电压监测和稳压电路,以确保设备在不同工作条件下稳定运行。
MMBZ12VAT,215, BZV55-C12