时间：2025/8/15 2:36:24
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PJQA5V6 T/R是一款由PanJit（强茂）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和优异的开关性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等领域。该MOSFET封装为SOT-23，便于在小型PCB上安装，并具备良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：200mA
导通电阻(Rds(on))：1.2Ω @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：1.8Ω @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：SOT-23
PJQA5V6 T/R采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻，这使得在相同的电流条件下，功率损耗更小，从而提升了整体效率。该器件在VGS为10V时的RDS(on)典型值为1.2Ω，而在较低的4.5V栅极电压下也能保持1.8Ω的良好性能，确保了在多种驱动条件下都能稳定工作。
该MOSFET具有高频率开关特性，适合用于高频DC-DC转换器和电源管理系统。其快速的开关速度减少了开关损耗，提高了系统的整体能效。此外，SOT-23封装提供了较小的占板面积，非常适合空间受限的设计应用，例如便携式电子产品和小型电源模块。
从热性能来看，该器件的热阻较低，能够有效将热量传导至PCB，避免因温度升高而导致性能下降。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于大多数工业环境条件，具有良好的环境适应性和长期可靠性。
该MOSFET常用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备、LED照明驱动电路以及各种低功率高频率开关应用。其小尺寸和高性能的特性使其特别适用于空间有限但要求高效能的电子产品设计中。
2N7002, FDV301N, BSS138
