时间：2025/8/5 14:26:00
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IXFX180N25T 是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET适用于工业控制、电源管理和电机驱动等多种电力电子系统。IXFX180N25T 具有高耐压、大电流能力和良好的热性能，使其成为许多高功率应用的理想选择。
类型: N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）: 180A
最大漏-源电压（VDS）: 250V
最大栅-源电压（VGS）: ±20V
导通电阻（RDS(on)）: 0.045Ω（最大）
功率耗散（PD）: 500W
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装类型: TO-264
IXFX180N25T MOSFET具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高漏极电流能力（180A）和250V的漏-源击穿电压使其能够处理高功率负载，适用于需要高电流和高电压的场合。其次，低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的功率损耗较低，提高了系统的效率并减少了热量的产生。此外，该器件采用TO-264封装，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。IXFX180N25T还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。
IXFX180N25T MOSFET广泛应用于各种高功率电子系统，包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和电动汽车充电系统。在这些应用中，该器件能够提供高效率和高可靠性，满足现代电力电子系统对高性能和长寿命的要求。此外，它也适用于需要高电流开关能力的自动化控制设备和功率调节系统。
IXFX180N25T2, IXFN180N25T, IRFP4668
