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STB22NM50-1 发布时间 时间:2025/7/23 0:00:22 查看 阅读:6

STB22NM50-1 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高电压N沟道MOSFET功率晶体管,主要用于高电压开关应用。该器件采用先进的技术,提供优异的导通性能和较低的开关损耗,适用于电源管理、工业控制、电机驱动以及电力转换系统等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大连续漏极电流(Id):11A
  导通电阻(Rds(on)):0.24Ω
  最大功率耗散(Ptot):80W
  封装类型:TO-220
  栅极阈值电压(Vgs(th)):3V至5V
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

STB22NM50-1 MOSFET具有多个关键性能特点,使其在高电压应用中表现出色。
  首先,该器件的最大漏源电压为500V,能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种电力电子变换器和工业控制系统。其最大连续漏极电流为11A,支持较高的负载能力,适合中高功率级别的开关应用。
  其次,STB22NM50-1的导通电阻为0.24Ω,较低的Rds(on)值有助于减少导通损耗,提高系统效率,降低热量产生,从而提高整体系统的可靠性和寿命。
  此外,该MOSFET的最大功率耗散为80W,具备良好的散热性能。其TO-220封装形式便于安装和散热管理,适合于多种电路设计和应用环境。工作温度范围从-55°C到150°C,确保在极端温度条件下也能保持稳定运行。
  该器件还具备较高的抗雪崩能力,能够在瞬态过压情况下提供更好的保护,增强系统的稳定性和耐用性。这些特性使得STB22NM50-1适用于电机控制、开关电源、逆变器、照明系统以及其他需要高电压和中高电流开关的场景。

应用

STB22NM50-1 MOSFET广泛应用于多个工业和消费电子领域。在电源管理方面,它可用于AC/DC和DC/DC转换器,实现高效的电压变换。在电机控制领域,该器件可作为H桥或PWM控制电路中的开关元件,用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。此外,STB22NM50-1也适用于逆变器设计,如UPS(不间断电源)和太阳能逆变器,用于将直流电转换为交流电。
  在照明系统中,该MOSFET可用于LED驱动器或电子镇流器,实现高效节能的光源控制。同时,它还可用于工业自动化设备中的负载开关,如继电器替代方案或电热执行器控制。此外,在家用电器如洗衣机、空调和微波炉中,STB22NM50-1也常用于功率控制电路,提供稳定的开关性能和良好的热管理能力。
  由于其高耐压和良好的导通特性,该器件也适用于各种通用开关应用,如电源管理系统、电池充电器、电焊设备和工业加热装置。总之,STB22NM50-1是一款性能优异、应用广泛的高电压N沟道MOSFET,适合多种中高功率电子系统的设计需求。

替代型号

STF12NM50ND, IRFBC30, STW22NM50ND

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