时间：2025/9/5 16:28:38
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S-SB3150T-TR-GW 是一款由 Sanken（三研）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等。该 MOSFET 采用先进的沟槽栅极技术，以实现低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。此外，S-SB3150T-TR-GW 提供了良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适用于高功率密度系统设计。其封装形式为小型表面贴装（SOP）封装，便于自动化装配并节省 PCB 空间。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：15A
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：3.2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP-8
S-SB3150T-TR-GW 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件采用了先进的沟槽栅极结构，使得在保持低 Rds(on) 的同时还能实现快速的开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频操作。其高栅极电压容限（±20V）增强了在高压瞬态条件下的可靠性，防止栅极氧化层击穿。S-SB3150T-TR-GW 还具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定工作。由于其采用 SOP-8 封装，散热性能良好，并且适用于自动化贴片工艺，提高了生产效率。该器件还具备较高的电流承载能力（15A），能够在高功率密度应用中可靠运行。
S-SB3150T-TR-GW 主要用于需要高效能和紧凑设计的电源管理系统中。典型应用包括笔记本电脑和服务器的 DC-DC 转换器、电池管理系统中的同步整流器、负载开关、电源管理模块以及电机驱动电路。此外，该 MOSFET 也可用于 LED 驱动器、功率放大器和其他高频率电源转换系统。由于其低导通电阻和高电流能力，S-SB3150T-TR-GW 在节能型电源设计中表现尤为出色，有助于提高整体系统的能效并减少发热。
SiSS15DN,TNTC15N03S
