时间：2025/8/5 13:49:35
阅读：29
IXFT74N20Q是一款由IXYS公司制造的高功率场效应晶体管（MOSFET）芯片，适用于高电压和高电流的电源转换应用。这款MOSFET设计用于在高压条件下提供卓越的性能和效率，广泛应用于工业电机控制、电源转换、太阳能逆变器和电动车充电系统等领域。其高可靠性和先进的封装技术使其在高要求的环境中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：74A（在25°C时）
最大漏-源极电压（VDS）：200V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约28毫欧姆（最大）
最大工作温度：150°C
封装形式：TO-247AC
功率耗散（PD）：300W（最大）
IXFT74N20Q MOSFET采用了IXYS的先进技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其高耐压能力（200V VDS）确保了在高压环境中的稳定运行，同时支持高达74A的漏极电流，适用于高功率应用。此外，该器件的封装设计优化了热管理，提高了散热效率，使其能够在高负载条件下长时间运行而不会出现热失效。其坚固的结构设计和高可靠性的材料选择，也增强了抗过载和短路能力，从而延长了产品寿命。
IXFT74N20Q主要用于需要高功率密度和高效率的电源系统中，如工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车充电设备、电池管理系统（BMS）以及各种电源转换装置。此外，它也可用于需要高可靠性和高耐压能力的工业自动化设备和能源管理系统。
IXFH74N20Q, IRFP4668, STY74N20K5, SCT3082ASTMR
