QAW02 时间：2025/8/3 15:29:20 阅读：21

QAW02 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用。该器件设计用于在高电流和高频率下工作，具有较低的导通电阻和出色的热性能。QAW02 是一款适用于工业和汽车应用的可靠解决方案，提供了良好的电气性能和封装形式。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：18A（在 25°C 下）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（最大值，典型值 2.4mΩ）
　　功率耗散：3.5W（在 25°C 下）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

特性

QAW02 MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于高性能电源管理应用。首先，它具有非常低的导通电阻，这减少了导通损耗并提高了效率。低 RDS(on) 也允许器件在高负载条件下运行，而不会产生过多的热量。
　　其次，该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，具有优异的热管理能力，能够有效地将热量从芯片传导到 PCB 或散热器。这种封装形式还支持高密度 PCB 设计，非常适合空间受限的应用。
　　此外，QAW02 的栅极驱动电压范围为 ±12V，使其兼容标准逻辑电平的驱动器，从而简化了电路设计。该器件还具有高 dv/dt 耐受能力和良好的雪崩能量耐受性，提高了在恶劣工作环境下的可靠性。
　　最后，QAW02 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C，使其适用于各种工业和汽车应用，尤其是在高温环境下运行的设备中。

应用

QAW02 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用。由于其高效率和低导通电阻，它非常适合用于笔记本电脑、服务器、通信设备和汽车电子系统中的电源管理模块。
　　在电池供电设备中，QAW02 可用于电源路径管理和电池保护电路。在电机控制应用中，其低 RDS(on) 和高电流能力使其能够高效地驱动小型电机或执行器。
　　此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、电源适配器以及 UPS 系统中，作为高效率的功率开关元件。