IDT6168SA35P 是一款由 Integrated Device Technology(IDT)公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM),属于高速缓存和缓冲存储器解决方案的一部分。该器件属于高速异步SRAM类别,广泛用于需要快速数据访问的网络设备、通信系统和高性能计算设备中。该SRAM具有高速访问时间、低功耗设计以及高可靠性的特点,适合工业级应用。IDT6168SA35P 采用标准的塑料双列直插式封装(PDIP),便于在各种嵌入式系统和工业设备中使用。
类型:静态随机存取存储器(SRAM)
容量:128K x 8位
访问时间:35 ns
电源电压:5V
工作温度范围:0°C 至 70°C
封装类型:28引脚 PDIP
接口类型:并行
读取电流(最大值):400 mA
待机电流(最大值):100 mA
IDT6168SA35P SRAM 具备多项关键特性,适用于高性能存储应用。首先,其高速访问时间为35 ns,能够满足需要快速数据读取和写入的应用场景,例如缓存、数据缓冲等。该芯片支持5V电源供电,具备较好的电压兼容性,适用于多种电源设计环境。
其次,IDT6168SA35P 采用了CMOS工艺,具有低功耗运行的特点,尤其在待机模式下功耗更低,适合对功耗敏感的应用。此外,该SRAM具有较高的抗干扰能力和稳定性,能够在工业级环境中长期稳定运行。
其28引脚PDIP封装形式提供了良好的可焊性和机械稳定性,方便手工焊接和自动化生产,适合用于原型设计和小批量生产。IDT6168SA35P 还具备异步控制信号,允许灵活的时序控制,适配多种主控器接口标准。
IDT6168SA35P SRAM 被广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统、通信设备、网络交换机、路由器、测试设备和工业控制系统。例如,在通信设备中,它可用作高速数据缓冲区以提高数据处理效率;在嵌入式处理器系统中,可用于临时存储程序指令或运行时数据;在测试设备中,作为临时数据存储单元,支持高速数据采集和处理。
此外,该芯片也适合用于需要短时间高速数据存储的工业控制系统,如工业机器人、自动控制设备等。由于其高速访问能力和低功耗特性,IDT6168SA35P 也可用于便携式仪器和低功耗设备中的临时数据缓存。
IDT6168SA45P, CY62148SAV35ZS, ISSI IS61LV128AL