时间：2025/8/6 1:21:33
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IXFT50N60X 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率转换和控制的电路中。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于电源、电机驱动、UPS 系统及工业自动化设备等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：600 V
栅源电压 Vgs：±30 V
漏极电流 Id（最大值）：50 A
导通电阻 Rds(on)（典型值）：0.18 Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXFT50N60X 具有多个显著特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V）和较大的漏极电流（50A）使其适用于高功率开关电路。其次，低导通电阻（Rds(on) 仅为 0.18Ω）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该 MOSFET 采用先进的平面技术制造，具备出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
该器件还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，从而减小了外围元件的尺寸和重量。其封装设计（TO-247）具有良好的散热性能，有助于有效管理功率损耗产生的热量。最后，该器件的栅极驱动要求较低，适合与多种驱动电路配合使用，简化了设计和应用过程。
IXFT50N60X 常用于多种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、电机控制电路、工业逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动工具和电动汽车的功率管理系统。其高性能和高可靠性使其成为工业自动化、通信电源、医疗设备电源模块等对稳定性和效率要求较高的应用中的理想选择。
IXFH50N60P, IRFP460LC, FCP50N60, FDPF50N60
