电容值：100nF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　介质材料：X7R陶瓷
　　直流偏压特性：随电压升高电容略有下降
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100MΩ·μF
　　损耗因数（DF）：≤2.5%
　　老化率：≤2.5%每1000小时
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍障层/锡覆盖（Ni-Sn）
　　产品类别：多层陶瓷电容器（MLCC）

TH05-4H104FR所采用的X7R陶瓷介质赋予了其优异的温度稳定性，使其在-55°C到+125°C的宽温范围内能够维持电容值的变化不超过±15%，这一特性显著优于Z5U或Y5V等低稳定性介质材料，因此更适合用于对电容稳定性要求较高的电源去耦和信号耦合场合。
　　该电容器具有较小的封装尺寸（0805），便于在高密度印刷电路板上布局，同时仍能提供50V的额定电压和100nF的较大电容容量，体现了当前MLCC在小型化与高容量之间的良好平衡。
　　由于采用了先进的叠层制造工艺，TH05-4H104FR内部包含多个交错的陶瓷-电极层结构，有效提升了单位体积内的电容量，并增强了机械强度和热循环耐受能力。
　　在直流偏压方面，虽然随着施加电压接近额定值时电容会有所下降，但相较于其他同类介质仍表现出相对稳定的性能，这对于在开关电源反馈回路或DC-DC转换器输出滤波中使用尤为重要。
　　该器件还具备较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升高频下的滤波效率，减少噪声干扰，适用于高速数字系统和射频前端电路中的旁路设计。
　　TH05-4H104FR通过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TCL）和可焊性检测，确保在恶劣环境下长期工作的稳定性与安全性。
　　其端电极采用镍阻挡层加锡覆盖的三层结构（Cu/Ni/Sn），不仅提高了抗迁移能力，还能有效防止银离子迁移导致的短路风险，同时保证良好的焊接性能和长期存储稳定性。

TH05-4H104FR广泛应用于各类需要稳定电容性能和中高压操作的电子设备中。在电源管理系统中，常被用作DC-DC转换器的输入/输出滤波电容，利用其100nF的容量和50V耐压能力来平滑电压波动并抑制高频噪声。
　　在模拟信号处理电路中，该电容可用于音频放大器或运算放大器的耦合与去耦节点，确保信号通路不受直流偏置影响的同时维持良好的频率响应特性。
　　在微处理器和FPGA等数字系统的供电引脚附近，TH05-4H104FR可作为局部去耦电容，快速响应瞬态电流需求，降低电源阻抗，提高系统稳定性。
　　此外，该器件也适用于工业控制模块、传感器接口电路、LED驱动电源以及汽车电子中的辅助控制系统，因其能在较宽温度范围内可靠运行，满足工业级甚至部分车载环境的要求。
　　通信设备如路由器、交换机和基站模块中也常见此类电容，用于线路滤波和EMI抑制，保障信号完整性。
　　由于其符合RoHS标准且支持回流焊工艺，TH05-4H104FR特别适合现代自动化生产线的大规模组装，广泛服务于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备等领域。

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