类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET-单
系列:HiPerFET?
FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
FET特点:标准型
开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:15毫欧 76A,10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流-连续漏极(Id) 25°C:76A
Id时的Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) Vgs:180nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss):4500pF 25V
功率-最大:310W
安装类型:通孔
封装/外壳:ISOPLUS247?
包装:管件