类型：NPN型晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作条件不同）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LDTC115TET1G晶体管具有多种特性，使其在各种电子电路中表现出色。
　　首先，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，这使其能够适应不同的放大需求。hFE值的范围取决于工作电流和温度条件，这使得LDTC115TET1G在各种负载条件下都能保持良好的性能。
　　其次，LDTC115TET1G的集电极-发射极电压（Vce）最大可达50V，这使得它能够在相对较高的电压环境下工作，而不会出现击穿或损坏。此外，其最大集电极电流为100mA，适合处理中等电流负载，这使其适用于多种开关和放大电路。
　　该晶体管的最大功耗为300mW，这意味着它能够在相对较高的功率条件下工作，而不会因过热而失效。同时，其频率响应（fT）为100MHz，这使得LDTC115TET1G在高频应用中也能表现出色，例如射频（RF）放大器和高速开关电路。
　　此外，LDTC115TET1G的工作温度范围从-55°C到+150°C，这使得它能够在极端温度条件下稳定工作。这种宽温度范围的特性使其适用于工业控制、汽车电子和户外设备等应用场景。
　　最后，LDTC115TET1G采用SOT-23封装，这是一种小型化封装形式，适合表面贴装技术（SMT）。这使得该晶体管在现代电子设备中易于安装和焊接，同时也节省了电路板空间。

LDTC115TET1G晶体管广泛应用于各种电子电路中，包括开关电路、放大电路和逻辑门电路。由于其宽电流增益范围和高频响应，它常用于音频放大器、射频（RF）放大器和高速开关电路中。
　　在工业控制领域，LDTC115TET1G可用于驱动继电器、LED和小型电机等负载。其较高的集电极-发射极电压（Vce）和集电极电流（Ic）能力使其适合用于中等功率的开关应用。
　　在汽车电子系统中，该晶体管可用于车身控制模块、照明系统和传感器接口电路。其宽工作温度范围确保了它在恶劣环境条件下仍能稳定工作。
　　此外，LDTC115TET1G也常用于消费类电子产品中，例如电源管理电路、充电器和适配器。其小型化的SOT-23封装形式使其在紧凑型设备中易于集成。

BC547, 2N3904, PN2222