时间：2025/9/15 1:09:57
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BUK7K52-60EX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理应用，具备低导通电阻（RDS(on)）和高耐压特性，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。该器件采用高性能沟槽技术，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：52A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻 RDS(on)：最大 5.2mΩ（在 VGS=10V）
功耗（Ptot）：120W
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK7K52-60EX 的核心特性包括其低导通电阻，这使得在大电流工作条件下能显著降低导通损耗，提高系统效率。
该器件采用高性能沟槽结构，确保在高温和高负载条件下仍能保持稳定工作。
其最大漏源电压为 60V，适用于中低压功率转换系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和负载开关等。
器件具备出色的热性能，封装形式为 TO-220AB，便于散热和安装，适用于多种 PCB 布局环境。
栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间工作，兼容多种驱动器电路设计，提高了设计灵活性。
此外，BUK7K52-60EX 具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在高压瞬态环境下的可靠性和稳定性。
该 MOSFET 符合 RoHS 标准，适用于绿色环保电子产品设计。
BUK7K52-60EX 主要应用于汽车电子系统，如车身控制模块、电动助力转向系统、电动水泵和风扇控制等。
在工业自动化和电源管理系统中，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及高电流开关控制电路。
由于其低导通电阻和高效率特性，该器件也广泛用于电池管理系统（BMS）和储能设备中的功率控制单元。
在电机控制应用中，BUK7K52-60EX 可作为 H 桥结构中的主开关器件，提供高效的电机驱动能力。
此外，该 MOSFET 还适用于 UPS（不间断电源）、服务器电源和电信设备中的功率转换模块。
STP55NF06L, FDP6030BL, IRFZ44N, IPW60R006S, BUK7K52-60E
