T35L6464A-5Q 时间：2025/9/6 11:44:12 阅读：28

T35L6464A-5Q是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件通常用于需要高性能、低功耗和高可靠性的系统中。T35L6464A-5Q的存储容量为64K x 8位，采用异步工作方式，适用于需要快速数据访问的场合，如通信设备、工业控制、嵌入式系统和网络设备等。该芯片采用CMOS技术制造，具有宽电压范围和较高的抗干扰能力。

参数

容量：64K x 8位
　　组织形式：64KB
　　电压范围：3.3V至5.0V（典型）
　　访问时间（tRC）：5.5ns（最大）
　　读取时间（tAA）：5.5ns（最大）
　　输出使能到数据有效（tOE）：2.5ns（最大）
　　写入脉冲宽度（tRC）：10ns（最小）
　　封装形式：52引脚TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装尺寸：标准TSOP尺寸
　　功耗：低功耗CMOS工艺
　　引脚排列：标准SRAM引脚排列
　　数据保持电压：2.0V（最小）

特性

T35L6464A-5Q具有多个关键特性，使其在各种嵌入式和工业应用中表现出色。首先，该芯片采用了高速CMOS工艺，提供极快的访问时间和最小的延迟，适合高性能数据存储需求。其异步SRAM架构允许与多种微处理器和控制器无缝连接，无需复杂的同步时序控制。
　　该芯片支持3.3V至5.0V的宽电源电压范围，提高了其在不同系统中的兼容性。此外，T35L6464A-5Q具有低功耗特性，在待机模式下消耗的电流极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　在封装方面，该SRAM芯片采用52引脚TSOP封装，具有良好的热稳定性和空间利用率，适合高密度PCB布局。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、通信设备和车载系统等领域。
　　此外，T35L6464A-5Q支持高速读写操作，并具有较高的抗干扰能力，能够在电磁干扰较强的环境中保持数据的完整性和稳定性。芯片内部集成了地址和数据锁存器，简化了外部电路设计，提高了系统的稳定性。
　　该器件还支持数据保持模式，在电源电压降至2.0V时仍能保持存储数据不丢失，适用于需要低电压数据保持的应用场景。综合来看，T35L6464A-5Q是一款性能稳定、功能强大的SRAM芯片，适用于多种高性能嵌入式系统和工业设备。

应用

T35L6464A-5Q广泛应用于需要高速数据存取和可靠存储的各类电子系统中。例如，在通信设备中，它可用于高速缓存或数据缓冲区，提升数据传输效率；在工业控制系统中，可作为临时数据存储器，确保数据的实时处理和存储；在网络设备中，可用于路由器和交换机的数据缓冲，提升系统响应速度。
　　此外，该芯片也常用于嵌入式系统中的程序和数据存储，特别是在对存取速度要求较高的场合。例如，在图像处理系统、医疗设备、测量仪器和自动化控制设备中，T35L6464A-5Q能够提供稳定的高速存储支持。
　　由于其低功耗特性，该芯片也适用于便携式设备和电池供电系统，如智能仪表、手持测试设备和移动终端。在汽车电子领域，T35L6464A-5Q可用于车载导航系统、远程信息处理系统和车载娱乐设备，确保在复杂环境下的稳定运行。
　　总之，T35L6464A-5Q适用于需要高速访问、低功耗和高可靠性的各种应用场景，是众多高性能电子系统中理想的存储解决方案。