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IXFR64N60P 发布时间 时间：2023/3/6 14:16:54 查看 阅读：255

    晶体管极性:N

    电压, Vds 最大:600V

    开态电阻, Rds(on):0.105ohm

   

目录

概述

    晶体管极性:N

    电压, Vds 最大:600V

    开态电阻, Rds(on):0.105ohm

    封装类型:ISOPLUS-247

    N沟道栅极电荷 Qg:200nC

    功率, Pd:360W

    封装类型:ISOPLUS-247

    晶体管类型:MOSFET

    电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

    电压, Vds 典型值:600V

    电容值, Ciss 典型值:12000pF

    电流, Id 连续:36A

    表面安装器件:通孔安装

    阈值电压, Vgs th 典型值:5V

    隔离电压:2500V

    时间, trr 最大:200ns

    热阻 Rth:0.35


资料

厂商
IXYS

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IXFR64N60P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C36A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C105 毫欧 @ 32A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds12000pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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