时间：2025/12/26 19:27:35
阅读：16
IXFR44N50Q3是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的Superjunction（超结）技术，能够在高电压工作条件下实现极低的导通电阻和开关损耗，从而显著提升系统效率。IXFR44N50Q3的额定电压为500V，适合在高电压DC-DC转换、工业电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等要求严苛的应用中使用。其封装形式为TO-247-3，具备良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以实现高效散热。此外，该器件符合RoHS标准，并通过AEC-Q101车规级认证，适用于汽车电子环境中的高可靠性需求场景。器件的设计优化了dv/dt和di/dt抗扰能力，有助于减少电磁干扰（EMI），提升系统整体稳定性。同时，其内部结构具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性，适用于需要长期稳定运行的工业与能源系统。
型号：IXFR44N50Q3
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500 V
最大漏极电流（Id）：44 A
导通电阻（Rds(on)）：85 mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：3 V ~ 4 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
最大功耗（Ptot）：300 W
输入电容（Ciss）：3800 pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：190 pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：45 ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247-3
技术：Superjunction
认证：AEC-Q101
IXFR44N50Q3采用英飞凌领先的Superjunction（超结）技术，这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域来实现更高的击穿电压，同时大幅降低导通电阻。相比传统的平面型或沟槽型MOSFET，Superjunction结构在500V电压等级下实现了更优的Rds(on) × Qg（导通电阻与栅极电荷乘积）品质因数，从而显著提高能效。该器件的典型导通电阻仅为85mΩ，在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，减少发热并提升系统功率密度。其栅极电荷（Qg）较低，约为65nC（典型值@Vds=400V），这使得器件在高频开关应用中表现出色，能够有效降低驱动损耗并简化栅极驱动电路设计。
该MOSFET具备优异的热性能，TO-247-3封装具有较低的热阻（RthJC ≈ 0.5 K/W），可将芯片产生的热量快速传导至外部散热器，确保长时间高负载运行下的可靠性。器件还具备较强的雪崩耐量，经过严格测试验证可在非重复脉冲条件下承受一定的雪崩能量，提升了在电源异常或感性负载切换时的安全裕度。其体二极管具有较快的反向恢复特性（trr ≈ 45ns），有助于减少反向恢复电流尖峰，降低开关节点的电压振铃和EMI噪声。
IXFR44N50Q3通过AEC-Q101车规级认证，表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感性等应力测试中表现稳定，适合用于车载OBC（车载充电机）、DC-DC变换器等对可靠性要求极高的场合。此外，该器件具有良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，减少了误触发的风险，提高了系统在复杂电磁环境下的运行稳定性。内置的ESD保护结构也增强了器件在装配和使用过程中的耐用性。
IXFR44N50Q3广泛应用于多种高效率、高电压的电力电子系统中。在工业电源领域，常用于服务器电源、电信整流器和工业SMPS（开关电源）中的主开关或同步整流器件，其低导通损耗和高开关速度有助于实现90%以上的转换效率。在可再生能源系统中，如光伏（PV）逆变器和储能系统，该器件可用于DC-AC逆变桥臂或MPPT（最大功率点跟踪）电路，支持高直流母线电压下的稳定运行。在电动汽车相关应用中，IXFR44N50Q3适用于车载充电机（OBC）和车载DC-DC转换器，满足汽车级可靠性要求的同时提供高功率密度解决方案。此外，该器件也可用于高端UPS（不间断电源）、电机驱动器以及激光电源等高要求设备中，作为核心开关元件发挥关键作用。其优异的热管理和电气性能使其在紧凑型设计和自然风冷系统中同样具备优势。
IPB44N50C5
SPW44N50C3
STF44N50M2
FQP44N50
