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IXFR20N80P 时间：2023/11/28 17:19:47 阅读：123

类别：分离式半导体产品

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHV?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：85nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4680pF @ 25V
功率 - 最大：166W
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUS247?
包装：管件

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产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

IXFR20N80P
深圳市威尔健半导体有限公司
1860
IR
2023+/ISOPLUS247

IXFR20N80P
深圳市奥利腾科技有限公司
20000
IXYS
22+/ISOPLUS247

IXFR20N80P
深圳市郓州科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
2024+/ISOPLUS247

IXFR20N80P
深圳市楚胜电子有限公司
22358
IXYS
22+/ISOPLUS247

IXFR20N80P
得捷（深圳）商贸有限公司
6000
I
22+/TO247

IXFR20N80P
深圳市华睿芯科技有限公司
20000
TI
2023+/SOP

IXFR20N80P
深圳市科鑫美电子有限公司
28683
IXYS
21+/TO247

IXFR20N80P
深圳市博芯创达科技有限公司
13222
IXYS
19+/ISOPLUS247

IXFR20N80P
深圳市跃创芯科技有限公司
25000
I
22+/TO247

IXFR20N80P
深圳市安富世纪电子有限公司
6000
I
23+/TO247

IXFR20N80P
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
12300
IR
24+/TO247

IXFR20N80P
现代芯城（深圳）科技有限公司
47000
-
NEW/-

IXFR20N80P
深圳市华盛锦科技有限公司
32500
VBSEMI/台湾微碧
22+/TO247

IXFR20N80P
深圳市创芯联盈电子有限公司
4500
I
23+/TO247

IXFR20N80P
中扬电子（深圳）有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/ISOPLUS247

IXFR20N80P
深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/ISOPLUS247

IXFR20N80P
深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/ISOPLUS247

IXFR20N80P
深圳市科鑫美电子有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/ISOPLUS247

IXFR20N80P
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
IXYS
2023+/ISOPLUS247

IXFR20N80P
深圳市腾桩电子有限公司
4800
I
23+/TO247

IXFR20N80P相关型号推荐

IC词条百科

IXFR20N80P参数

标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列PolarHV™ HiPerFET™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs85nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4680pF @ 25V
功率 - 最大166W
安装类型通孔
封装/外壳ISOPLUS247?
供应商设备封装ISOPLUS247?
包装管件

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