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IXFR20N80P 发布时间 时间：2023/11/28 17:19:47 查看 阅读：117

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHV?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：85nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4680pF @ 25V
功率 - 最大：166W
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUS247?
包装：管件

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IXFR20N80P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 10A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs85nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4680pF @ 25V
  • 功率 - 最大166W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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