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IXFR20N80P 发布时间 时间:2023/11/28 17:19:47 查看 阅读:110

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:PolarHV?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:500 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:85nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4680pF @ 25V
功率 - 最大:166W
安装类型:通孔
封装/外壳:ISOPLUS247?
包装:管件

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IXFR20N80P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs85nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4680pF @ 25V
  • 功率 - 最大166W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件