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IXFR200N10P 发布时间 时间：2023/11/28 17:19:42 查看 阅读：155

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：Polar?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9 毫欧 @ 100A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：133A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：235nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：7600pF @ 25V
功率 - 最大：300W
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUS247?
包装：管件

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IXFR200N10P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C133A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 100A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs235nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7600pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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