KIA7796Z 时间：2025/12/28 15:43:09 阅读：14

KIA7796Z是一款由韩国KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和电机驱动等高功率场合。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适合在高效率电源转换器和负载开关中使用。KIA7796Z具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　漏源击穿电压（VDS）：60V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（典型值）
　　最大功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252

特性

KIA7796Z具备低导通电阻特性，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力使其在高压应用中具有良好的稳定性和可靠性。KIA7796Z支持大电流通过，适用于需要高功率输出的电路设计。其TO-252封装形式具备良好的散热性能，有助于提升器件在高负载条件下的热稳定性。此外，该MOSFET具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和马达控制电路。
　　KIA7796Z还具备良好的抗静电能力，能够有效防止因静电放电（ESD）引起的器件损坏。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计。该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定的性能，适合在恶劣工业环境中使用。