类别:分离式半导体产品
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HiPerFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫欧 @ 7.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:13A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:90nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4300pF @ 25V
功率 - 最大:250W
安装类型:通孔
封装/外壳:ISOPLUS247?
包装:管件