GA0603A1R0CBBAT31G是一款由东芝(Toshiba)生产的硅三极管,主要用于开关和放大应用。该型号属于NPN型晶体管,采用SOT-23小型表面贴装封装形式,适合在高密度电路板设计中使用。其出色的性能使其成为消费电子、工业控制和通信设备中的理想选择。
这款三极管的设计旨在提供高增益和低饱和电压,同时保持较低的功耗,非常适合需要高效能和小尺寸的应用场景。
集电极-发射极电压:40V
集电极电流:200mA
直流电流增益(hFE):最低100
功率耗散:320mW
工作结温范围:-55℃至150℃
封装类型:SOT-23
GA0603A1R0CBBAT31G具有以下主要特性:
1. 高电流增益,确保稳定的信号放大能力。
2. 小型化封装设计,支持高密度PCB布局。
3. 低饱和电压,有助于提高效率并降低功耗。
4. 宽温度范围适应性,能够在严苛环境下可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
该型号适用于多种领域和应用场景:
1. 开关电路中的信号切换。
2. 消费类电子产品中的音频信号放大。
3. 工业自动化系统中的传感器接口驱动。
4. LED驱动和电源管理模块中的电流调节。
5. 各种便携式设备中的低功耗控制电路。
2SC3358, KSC3358, SSM3K3358FT