2SC2411KRLT1G是一款由ON Semiconductor制造的NPN型晶体管,广泛应用于高频放大和开关电路中。该晶体管具有优异的高频特性,适合用于射频(RF)和中频(IF)信号的处理。它采用SOT-23封装,体积小,适合高密度PCB布局。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
最大集电极电流(IC):150mA
最大功率耗散(PD):300mW
电流增益(hFE):110至800(取决于测试条件)
过渡频率(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-23
2SC2411KRLT1G具有优异的高频性能,能够在高达100MHz的频率下稳定工作。其高电流增益(hFE)范围为110至800,确保了良好的信号放大能力。该晶体管的低噪声系数使其非常适合用于前置放大器和其他低噪声应用。SOT-23封装设计不仅节省空间,还提供了良好的热性能和机械稳定性,适合自动化生产和表面贴装工艺。
此外,2SC2411KRLT1G具有良好的温度稳定性,在-55°C至+150°C的宽温度范围内能够保持稳定的工作性能,适用于工业和汽车电子等严苛环境。其最大集电极电流为150mA,最大集电极-发射极电压为50V,能够承受较高的电压和电流应力,确保在各种应用中的可靠性和耐用性。
该晶体管常用于射频(RF)和中频(IF)放大器设计,适用于无线通信、广播接收设备和测试仪器等高频电路。由于其低噪声和高增益特性,2SC2411KRLT1G也广泛应用于音频前置放大器和信号处理电路中。此外,它还可用于开关电路、驱动LED和继电器等负载。在汽车电子系统中,如车载收音机和传感器接口电路,2SC2411KRLT1G也表现出良好的性能。
2SC2411KRLT1G的替代型号包括2SC3199、2SC4043和BC547B。