型号：IXFR13N50
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：500V
　　连续漏极电流(Id)：13A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：52A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：0.58Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：4V典型值
　　输入电容(Ciss)：1090pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：260pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：95ns
　　最大功耗(Pd)：150W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FP

IXFR13N50具备多项关键特性，使其在中高压功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻Rds(on)仅为0.58Ω，在Vgs=10V条件下可有效减少导通状态下的功率损耗，提高能效，特别适合用于大电流持续工作的电源系统。其次，该器件采用了英飞凌成熟的沟槽栅极技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时降低了寄生参数的影响。其输入电容Ciss为1090pF，输出电容Coss为260pF，较小的电容值有助于加快开关速度，降低驱动电路的负担，并减少开关过程中的能量损耗。
　　另一个重要特性是其出色的开关性能。IXFR13N50的栅极电荷Qg较低，典型值约为45nC，这使得在高频开关应用中所需的驱动功率更少，有利于提高开关频率并减小外围滤波元件的体积。此外，其反向恢复时间trr为95ns，配合体二极管的快速恢复特性，可有效抑制在感性负载切换过程中产生的电压尖峰，降低电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　该器件还具备良好的热稳定性和可靠性。其最大功耗可达150W，结合TO-220FP封装的优良热传导设计，可在较高环境温度下稳定运行。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛工业环境。内置的雪崩能量耐受能力进一步增强了其在异常工况下的生存能力，例如负载突变或短路瞬态。此外，±30V的栅源电压容限提供了额外的保护，防止因驱动信号波动导致的栅极击穿。这些综合特性使IXFR13N50成为高效率、高可靠电源设计中的优选器件。

IXFR13N50广泛应用于多种中高功率电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、服务器电源和工业电源模块，其高耐压和低损耗特性有助于实现高效率和小型化设计。在DC-DC转换器中，特别是升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）拓扑结构中，该MOSFET可作为主开关器件，提供快速响应和低静态损耗。此外，它也适用于逆变器系统，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源，用于直流到交流的转换环节。
　　在电机驱动领域，IXFR13N50可用于中小型电机的H桥或半桥驱动电路，支持PWM调速控制，其快速开关能力和良好热性能确保了长时间运行的稳定性。工业控制系统中的电磁阀驱动、继电器控制和加热元件调节也是其典型应用场景。由于具备较强的抗干扰能力和环境适应性，该器件还可用于工业自动化设备、医疗电源和电信基础设施中的功率级设计。总之，凡涉及500V以下高压开关操作且对效率与可靠性有较高要求的场合，IXFR13N50均是一个理想选择。

IPB13N50C3, STP13NK50ZFP, FQP13N50L