时间：2023/3/7 14:31:41
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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET?
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.2 欧姆 @ 5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：90nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2900pF @ 25V
功率 - 最大：250W
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUS247?
包装：管件
供应商设备封装：*
| 厂商 |
|---|
| VISHAY |
