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SMBV1061LT1 发布时间 时间:2025/9/3 4:20:51 查看 阅读:8

SMBV1061LT1是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的表面贴装可变电容二极管(Varactor Diode),主要用于射频(RF)和微波电路中的调谐应用。该器件采用SMB(Small Module B)封装,具备低电容变化比、高Q值和良好的稳定性,适用于需要精确频率调谐的无线通信系统、压控振荡器(VCO)、滤波器调谐以及天线阻抗匹配等场景。SMBV1061LT1具有较高的可靠性,符合AEC-Q101汽车级认证标准,适合在工业和汽车环境中使用。

参数

型号:SMBV1061LT1
  类型:变容二极管(Varactor Diode)
  封装:SMB(DO-214AA)
  最大反向电压:20V
  电容值(@ VR=2V, f=1MHz):约45pF
  电容值(@ VR=10V, f=1MHz):约13pF
  电容比(C2/C10):约3.5:1
  最大功耗:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  结电容温度系数:约-150ppm/°C
  峰值反向电流:100nA
  材料:硅(Si)
  极性:单向
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

SMBV1061LT1作为一款高性能变容二极管,具备多项优良特性,适用于高频调谐电路。首先,其电容值随反向偏置电压的变化而变化,适用于VCO(压控振荡器)等需要频率调谐的应用。在2V反向偏置电压下,典型电容值为45pF,而在10V时则降至13pF,电容比达到3.5:1,提供了良好的调谐范围和线性度。该器件的Q值(品质因数)较高,有助于减少高频信号的损耗,提高电路效率。
  此外,SMBV1061LT1采用SMB表面贴装封装,适用于自动化生产,提高了制造效率。该封装具备良好的热稳定性和机械强度,适合在多种工作环境下使用。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于工业级和汽车级应用场景。
  该器件还具有低漏电流特性,在10V反向电压下的最大漏电流为100nA,有助于提高电路的稳定性与能效。SMBV1061LT1符合AEC-Q101汽车电子标准,确保在汽车应用中的可靠性。此外,该器件的结电容温度系数为-150ppm/°C,表明其电容随温度变化较小,适用于需要稳定频率调谐的电路。
  综合来看,SMBV1061LT1以其优异的电气性能、稳定的温度特性和高可靠性,广泛适用于现代无线通信、射频调谐及汽车电子系统中的关键调谐元件。

应用

SMBV1061LT1变容二极管广泛应用于需要频率调谐的射频和微波电路中。其典型应用包括压控振荡器(VCO)中的频率调节,使无线通信系统能够实现频率合成与自动调谐功能。此外,该器件可用于调谐滤波器,使滤波器的工作频率能够根据系统需求进行动态调整,适用于多频段通信设备和软件定义无线电(SDR)。
  在无线基础设施中,SMBV1061LT1可用于基站和射频前端模块中的天线调谐电路,优化天线的阻抗匹配,提高信号传输效率。在汽车电子系统中,该器件可用于远程无钥匙进入系统(RKE)、胎压监测系统(TPMS)和车载收音机调谐电路,满足汽车级可靠性要求。
  同时,该变容二极管也可用于射频测试仪器、频率合成器和射频功率放大器的匹配网络中,提升系统的性能和稳定性。由于其封装尺寸小、电气性能稳定,SMBV1061LT1特别适合高密度PCB布局和自动化生产需求。

替代型号

BB133, MVAM106, SMV1232, FCX-211, BB212

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