类型：功率MOSFET
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：CoolMOS?
　　漏源电压（Vds）：850V
　　漏极电流（Id）@25°C：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.85Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：29nC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　安装类型：通孔
　　技术：超结（Super Junction）
　　配置：单通道
　　功耗（Pd）：50W
　　栅极源极电压（Vgs）：±30V

IXFP4N85XM 的关键特性之一是其采用的超结（SJ）技术，这种技术显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件的高耐压能力（850V）使其适用于高电压应用，如功率因数校正（PFC）电路和高压DC-DC转换器。
　　另一个重要特性是其出色的热性能。TO-220封装提供了良好的散热能力，使得器件能够在较高的工作温度下稳定运行。这对于需要长时间高负载工作的应用尤为重要，例如电源供应器和工业控制系统。
　　该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg），这意味着它在开关过程中所需的能量较少，从而降低了开关损耗。这使得IXFP4N85XM非常适合用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和电机控制。此外，较低的Qg也有助于减少电磁干扰（EMI），提高系统的整体稳定性。
　　在可靠性方面，IXFP4N85XM设计用于在恶劣环境中运行。其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保了在极端温度条件下的稳定性能。同时，该器件的栅极源极电压容限为±30V，提供了更高的设计灵活性和安全性，防止栅极过压损坏。
　　此外，IXFP4N85XM还具有较低的反向恢复电荷（Qrr），这在同步整流和桥式电路中非常重要。低Qrr意味着在开关过程中，体二极管的反向恢复时间较短，减少了开关损耗并提高了系统的整体效率。

IXFP4N85XM广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。由于其高耐压能力和低导通电阻，它常用于功率因数校正（PFC）电路，尤其是在电源供应器中，以提高输入电源的利用率并减少谐波失真。此外，该器件也适用于开关电源（SMPS），特别是在需要高压输入的场合，如服务器电源、工业设备电源和消费类电子产品电源。
　　在电机控制应用中，IXFP4N85XM可用于驱动直流电机和无刷直流电机（BLDC）。其低Rds(on)和快速开关特性有助于减少能量损耗，提高电机效率，并降低运行温度。对于需要高可靠性的工业自动化系统，这款MOSFET是一个理想的选择。
　　该器件还适合用于高压DC-DC转换器，特别是在需要升压或降压功能的应用中。例如，在太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，IXFP4N85XM可以用于构建高效的DC-DC转换级，以提供稳定的输出电压。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）和储能系统中的功率开关。
　　在汽车电子领域，IXFP4N85XM可应用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及电动车辆的电机控制系统。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够在汽车环境中稳定运行。此外，该器件也可用于LED照明驱动电路，尤其是在需要高亮度和高效率的场合。

IXFH4N85XMSA1, SPW4N85C3, IPW4N85C3