容量：2Gb（256MB）
　　组织结构：x8/x16
　　电压：1.8V
　　速度：166MHz / 200MHz
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C至85°C
　　接口类型：并行接口
　　刷新周期：64ms
　　数据保持电压：1.5V至1.95V

H5TQ2G83DFR-RDCR具备多项先进特性，首先其低电压设计（1.8V）有助于降低功耗，从而提高能效，适用于对能耗敏感的应用场景。此外，该芯片支持x8和x16两种数据宽度模式，用户可根据具体需求进行灵活配置，提高系统的兼容性和适应性。
　　该DRAM芯片的工作频率可达200MHz，具备出色的读写性能，能够满足高速数据处理的需求。其FBGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了电气性能和散热能力，确保在高负载条件下稳定运行。
　　H5TQ2G83DFR-RDCR支持自动刷新和自刷新功能，可在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性，减少系统功耗。同时，其宽温工作范围（-40°C至85°C）使其适用于各种严苛的工业环境，包括高温和低温应用场景。
　　该芯片还具备良好的兼容性，可与多种主流处理器和控制器配合使用，适用于多种嵌入式系统架构。其并行接口设计有助于简化系统连接，提高数据传输效率，同时降低系统设计复杂度。

H5TQ2G83DFR-RDCR广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业控制与自动化设备、网络通信设备（如路由器、交换机）、嵌入式系统（如智能家电、工业人机界面）、消费类电子产品（如智能电视、游戏机）以及汽车电子系统（如车载信息娱乐系统）。
　　在工业控制方面，该芯片可用于高性能PLC（可编程逻辑控制器）、工业计算机和自动化控制设备，提供高速数据处理和存储能力。
　　在网络设备中，它可作为缓存或主存储器，用于提升设备的数据处理能力，确保网络传输的稳定性和高效性。
　　在消费类电子产品中，该芯片可用于提升系统响应速度，优化多任务处理性能，增强用户体验。
　　此外，该芯片还可用于医疗设备、安防监控系统和智能仪表等对可靠性要求较高的应用场合。

H5TQ2G83EFR-H9DCR, H5TQ2G83CFR-RDLCR, H5TQ2G83FFR-PB