H5RS5223DFR-20C 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度、高性能的DRAM存储器类别,广泛应用于需要大量数据存储和快速存取的电子设备中,例如个人电脑、服务器、图形处理单元(GPU)以及高性能计算设备。这款DRAM芯片采用了FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有较小的封装尺寸和良好的电气性能。H5RS5223DFR-20C 的命名规则通常表示其容量、数据宽度、速度等级等关键参数,其中“H5RS”可能代表产品系列,“5223”可能与容量和组织结构相关,“DFR”表示封装类型,“20C”则表示访问时间或工作频率。
容量:256Mbit
数据宽度:16位
封装类型:FBGA
工作电压:2.3V - 3.6V
访问时间:20ns
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
引脚数:54pin
组织结构:256Mbit x16
H5RS5223DFR-20C 是一款高性能的DRAM芯片,具有以下显著特性:
首先,它具备256Mbit的存储容量,并采用16位数据宽度的设计,使其适用于需要高速数据存取的应用场景。这种存储器能够在较宽的电压范围内工作,从2.3V到3.6V,使其适应不同的电源设计需求,提高了设计的灵活性。
其次,该芯片采用FBGA封装技术,不仅减小了封装尺寸,还提升了电气性能和散热能力,有助于提高设备的整体稳定性和可靠性。其54引脚的封装形式也便于PCB布局和焊接,降低了制造和装配的难度。
此外,H5RS5223DFR-20C 的工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C 至 +85°C),适用于各种严苛环境下的电子设备,如工业控制系统、通信设备和嵌入式系统。这一特性使其在工业自动化、网络基础设施和消费电子产品中都具有广泛的应用前景。
该芯片的访问时间为20ns,表明其具有较快的读写速度,能够满足高性能系统对内存访问速度的要求。这对于图形处理、高速缓存和实时数据处理等应用场景尤为重要。
H5RS5223DFR-20C 主要应用于需要高性能存储解决方案的电子设备。例如,在嵌入式系统中,它可以作为主存储器用于存储程序和数据;在工业控制设备中,它可支持高速数据缓冲和实时处理;在通信设备中,它能够满足高速数据传输和缓存需求。此外,该芯片还可用于消费类电子产品,如智能电视、游戏机和多媒体播放器,以提升系统的整体性能和响应速度。由于其工业级温度范围,H5RS5223DFR-20C 也适用于汽车电子、航空航天和军事设备等对环境适应性要求较高的领域。
H57V5223DFF-20C, H57V5223DFR-20C, H57V5223BFF-20C