时间：2025/8/6 12:41:23
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IXFN90N30 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源转换应用而设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和高耐压特性，适用于各种高功率场合，如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和逆变器等。IXFN90N30 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，能够在高电流和高电压条件下稳定工作。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：300V
最大漏极电流（Id）：90A
最大导通电阻（Rds(on)）：0.037Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V ~ 6.0V
最大功耗（Ptot）：250W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
IXFN90N30 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其 Rds(on) 典型值仅为 0.037Ω，使得在高电流工作时，MOSFET 的功耗大大降低，从而减少了散热需求，提高了系统整体效率。
此外，该器件具有高耐压能力（300V），可承受较高的电压应力，适用于各种中高功率电源转换应用。其高电流承载能力（90A）也使得它能够胜任大功率负载的开关控制任务。
IXFN90N30 采用了先进的平面技术，优化了开关特性和热稳定性。其快速的开关速度可减少开关损耗，适用于高频开关电路，如开关电源（SMPS）、同步整流器和电机驱动器等。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，TO-247 封装提供了良好的散热路径，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适合工业级和汽车电子应用的严苛环境要求。
IXFN90N30 广泛应用于高功率电源系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件用于主开关或同步整流器，提高整体效率并减少热量产生。
在电机控制和驱动电路中，IXFN90N30 可作为功率开关，用于控制直流电机、步进电机或伺服电机的启停和调速。其高电流容量和低导通电阻使其在电动工具、电动车和工业自动化设备中具有广泛应用前景。
此外，该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器和逆变器电路中，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及储能系统。其高耐压能力和高效率特性使其成为这些应用的理想选择。
在汽车电子领域，IXFN90N30 可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）等关键电路中，提供稳定的功率控制和高效的能量转换。
IXFN90N30P, IXFH90N30, IRFP460LC
