类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：58A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.14Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IXFN58N50 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源极电压可达到 500V，使其适用于高电压工作环境。此外，其连续漏极电流可达 58A，能够在高功率负载下稳定运行。该器件的导通电阻较低，最大仅为 0.14Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。由于采用了先进的硅技术和优化的封装设计，IXFN58N50 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长期工作而不影响性能。
　　另一个显著特点是其栅极驱动电压范围较宽，允许 ±30V 的栅源电压，提高了使用的灵活性。同时，该 MOSFET 内部集成了快速恢复二极管，可以有效减少反向恢复损耗，提高开关性能。此外，TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于安装在散热器上，以进一步提升器件的可靠性。

IXFN58N50 通常用于高功率开关电源（SMPS）中，如服务器电源、电信电源系统和工业电源模块。在电机控制领域，该器件可用于直流电机驱动器和无刷电机控制器，以实现高效的能量转换和精确的转速控制。此外，它还可用于逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机和感应加热系统等高功率应用场合。
　　在新能源领域，IXFN58N50 也广泛应用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，以提供稳定的功率转换性能。由于其高可靠性和良好的热管理能力，该器件在工业自动化控制、电力调节设备以及高电压测试设备中也有广泛应用。

IXFH58N50P, IRF540N, STP55N50U, FDP58N50