型号：IRLI3615
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：OptiMOS
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：18A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：72A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻Rds(on)：4.8mΩ（Vgs=10V, Id=9A）
　　导通电阻Rds(on)：6.2mΩ（Vgs=4.5V, Id=9A）
　　栅极电荷（Qg）：13nC（典型值，Vds=15V, Vgs=10V, Id=9A）
　　输入电容（Ciss）：590pF（Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　反向恢复时间（trr）：10ns（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装SMD
　　封装/外壳：PQFN 3.3x3.3

IRLI3615的核心特性源于其基于英飞凌OptiMOS技术的先进制造工艺，该技术专门针对低电压、高电流应用场景进行了优化，显著提升了器件的整体能效。首先，该MOSFET具有极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时仅为4.8mΩ，在同类产品中处于领先水平，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。尤其是在大电流输出的同步整流DC-DC变换器中，低Rds(on)意味着更少的I2R发热，有助于简化散热设计并提升功率密度。其次，IRLI3615在保持低导通电阻的同时，还实现了较低的栅极电荷（Qg=13nC），这一特性对于高频开关应用至关重要。较低的Qg意味着驱动电路所需的能量更少，从而降低了驱动损耗，并允许使用更小的驱动IC或简化栅极驱动设计，进一步提高系统的能效和响应速度。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。由于采用了先进的沟道设计和工艺控制，IRLI3615具备快速的开关速度和较短的反向恢复时间（trr=10ns），能够有效减少开关过程中的交叠损耗，特别适合用于硬开关拓扑如降压（Buck）、升压（Boost）和同步整流电路。此外，该器件的输入电容（Ciss）仅为590pF，有助于减小高频下的容性损耗，提高开关效率。IRLI3615还具备良好的热稳定性，其PQFN 3.3x3.3封装底部带有裸露焊盘，可有效将热量传导至PCB，实现高效的热管理，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　在可靠性方面，IRLI3615经过严格的设计验证，具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于工业级和汽车级应用环境。同时，器件支持±20V的栅源电压，提供了良好的栅极驱动兼容性和保护裕度，防止因驱动电压波动导致的误操作或器件损坏。综上所述，IRLI3615凭借其低导通电阻、低栅极电荷、快速开关特性及高可靠性，成为现代高效电源系统中的理想选择。

IRLI3615主要应用于对效率和空间要求较高的中低电压功率转换场景。其典型应用包括但不限于：同步整流型DC-DC降压转换器，特别是在主板VRM（电压调节模块）、CPU/GPU供电、FPGA电源等高性能计算平台中作为上下管开关使用；电池供电设备中的电源管理系统，如笔记本电脑、平板电脑和移动通信设备中的负载开关和电源路径控制；电机驱动电路，用于驱动小型直流电机或步进电机，因其低导通电阻可减少发热并延长电池续航；热插拔控制器和电源分配系统中的电子保险丝（eFuse）功能实现；电信和网络设备中的中间总线转换器（IBA）和POL（Point-of-Load）电源模块；此外，还可用于LED驱动、USB PD电源适配器以及各类工业控制电源单元中。得益于其PQFN小型封装和优良的热性能，IRLI3615非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。

IRLHS3615
　　IRLR3615
　　SiR3615DP
　　AOZ5215A