时间：2025/8/6 12:21:18
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IXFN55N50F是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器和UPS系统等多种应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：55A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.125Ω（最大）
栅极阈值电压(Vgs(th))：3V~5V
最大功耗(Pd)：325W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247AC
IXFN55N50F具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。其最大漏源电压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换系统。该MOSFET的最大连续漏极电流为55A，在高功率条件下仍能保持稳定的导通性能。导通电阻Rds(on)的最大值为0.125Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。
此外，IXFN55N50F采用TO-247AC封装，具有良好的热管理和散热性能，适合高功率密度设计。其栅极阈值电压范围为3V至5V，适用于多种驱动电路配置，确保快速而稳定的开关操作。该器件还具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和逆变器系统。
IXFN55N50F的可靠性高，能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境。其内部结构设计优化，具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于工业级和高可靠性要求的电子设备。
IXFN55N50F广泛应用于各类高功率电子设备中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、太阳能逆变器以及DC-DC转换器等。其高耐压和低导通电阻特性使其在开关电源设计中尤为受欢迎，能够有效提升能效并降低系统发热量。同时，该器件也可用于高频功率转换和负载开关控制，适用于多种高电压和大电流的电子系统。
IXFH55N50F, IXFN44N50F, IXFK55N50F
