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IXFN55N50F 发布时间 时间:2025/8/6 12:21:18 查看 阅读:37

IXFN55N50F是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高电压和高电流的功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,适用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器和UPS系统等多种应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大漏极电流(Id):55A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.125Ω(最大)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):3V~5V
  最大功耗(Pd):325W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-247AC

特性

IXFN55N50F具备多项优良特性,使其在高功率应用中表现出色。其最大漏源电压为500V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电源转换系统。该MOSFET的最大连续漏极电流为55A,在高功率条件下仍能保持稳定的导通性能。导通电阻Rds(on)的最大值为0.125Ω,能够有效降低导通损耗,提高系统的整体效率。
  此外,IXFN55N50F采用TO-247AC封装,具有良好的热管理和散热性能,适合高功率密度设计。其栅极阈值电压范围为3V至5V,适用于多种驱动电路配置,确保快速而稳定的开关操作。该器件还具有较低的开关损耗,适用于高频开关应用,例如DC-DC转换器和逆变器系统。
  IXFN55N50F的可靠性高,能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作,适应各种恶劣环境。其内部结构设计优化,具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,适用于工业级和高可靠性要求的电子设备。

应用

IXFN55N50F广泛应用于各类高功率电子设备中,例如工业电源、不间断电源(UPS)、电机驱动器、太阳能逆变器以及DC-DC转换器等。其高耐压和低导通电阻特性使其在开关电源设计中尤为受欢迎,能够有效提升能效并降低系统发热量。同时,该器件也可用于高频功率转换和负载开关控制,适用于多种高电压和大电流的电子系统。

替代型号

IXFH55N50F, IXFN44N50F, IXFK55N50F

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IXFN55N50F参数

  • 制造商IXYS
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压500 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流55 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.085 Ohms
  • 配置Single Dual Source
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-227B
  • 封装Tube
  • 下降时间9.6 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散600 W
  • 上升时间20 ns
  • 工厂包装数量10
  • 典型关闭延迟时间45 ns