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MDD162-08N1 发布时间 时间:2025/8/5 18:55:27 查看 阅读:19

MDD162-08N1 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的高功率双极型晶体管(BJT)模块,主要用于高功率放大器和工业应用。该器件采用了先进的双极型晶体管技术,具有高电流容量和高耐压特性,适用于需要高可靠性和高稳定性的电子系统。MDD162-08N1 封装在一个坚固的绝缘陶瓷封装中,具有良好的热性能和机械稳定性,能够在高功率工作条件下保持稳定。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)模块
  最大集电极-发射极电压(VCEO):800V
  最大集电极电流(IC):160A
  最大功率耗散(PD):1200W
  封装类型:绝缘陶瓷封装
  晶体管极性:NPN
  增益带宽积(fT):50MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

MDD162-08N1 的主要特性之一是其高电压和大电流处理能力,适用于高功率开关和放大应用。该模块采用先进的硅技术,具有优异的热管理和热稳定性,能够在极端工作条件下保持高效运行。此外,其绝缘陶瓷封装不仅提供了良好的热传导性能,还增强了器件的机械强度和可靠性。
  另一个显著特点是其高功率耗散能力,达到了1200W,这使得该晶体管模块能够在高负载环境下长时间运行而不发生热失效。MDD162-08N1 还具有较高的增益带宽积(fT),适合用于高频放大器和开关电路,表现出良好的动态响应和稳定性。
  该器件的NPN型晶体管结构使其在功率放大电路中具有广泛的应用,特别是在工业电源、高频感应加热、电机驱动和音频放大系统中。其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)也使其适用于恶劣环境条件下的应用,如航空航天、军工设备和工业自动化系统。

应用

MDD162-08N1 主要用于需要高功率处理能力的电子系统中,例如工业电源、高频感应加热器、电机驱动器、音频放大器和开关电源。在工业自动化领域,该晶体管模块可用于高功率电机控制和电源调节系统。此外,MDD162-08N1 还常用于射频(RF)功率放大器、测试设备和电力电子变换器中,适用于需要高稳定性和高效率的场合。在航空航天和军工领域,该器件的高可靠性和宽温度范围使其成为高功率通信系统和雷达设备中的关键组件。

替代型号

MDD300-08N1、MDD160-08N1、MDD200-08N1

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