类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：19A（在25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（最大）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220、TO-263

C376C 具有以下几个显著的电气和物理特性：
　　首先，其高耐压能力（600V）使其适用于多种高电压应用场景，如开关电源、电机驱动和LED照明系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低，最大为0.18Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，其高电流承载能力（19A）使得它在高功率应用中表现出色。
　　在热性能方面，C376C 具有良好的热稳定性，采用标准的TO-220或TO-263封装，便于与散热片配合使用，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件还具备较强的抗瞬态过载能力，适用于复杂电磁环境下的工业设备。
　　从驱动角度而言，C376C 的栅极电荷较低，意味着在开关过程中所需的驱动功率较小，从而简化了驱动电路设计，并有助于提高开关速度，减少开关损耗。此外，该器件的栅极氧化层设计增强了其抗静电能力，提高了可靠性和使用寿命。

C376C 主要应用于以下几类电子设备和系统中：
　　首先是开关电源（SMPS），如AC-DC电源适配器、服务器电源、工业电源模块等，作为主功率开关使用。其次，在DC-DC转换器中，如升压（Boost）、降压（Buck）电路中，C376C 用于高效能的能量转换。
　　此外，该器件也广泛用于电机控制和驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）、伺服电机控制等，因其高耐压和大电流能力，能够满足电机启停和调速过程中的高动态需求。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电池管理系统中，C376C 也可作为功率开关使用，确保系统的高转换效率和稳定性。
　　最后，该MOSFET还适用于LED照明驱动、电焊机、UPS不间断电源等对效率和可靠性要求较高的应用场合。

IRFBC40, FQA19N60C, STF19N60DM2