WFP50N06 时间：2025/5/10 11:07:46 阅读：19

WFP50N06是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　这款MOSFET采用了TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计中。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：50A
　　栅极电荷：78nC
　　导通电阻：18mΩ
　　总功耗：140W
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃

特性

WFP50N06的核心特点是其出色的电气性能和稳定性。
　　1. 低导通电阻确保了较低的传导损耗，从而提升了整体效率。
　　2. 高额定电流使得它非常适合大功率应用环境。
　　3. 快速开关速度减少了开关损耗，适合高频操作场景。
　　4. TO-220封装提供了优异的热性能，有助于延长使用寿命。
　　5. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣条件下的使用需求。
　　这些特性共同保证了该MOSFET在各种工业及消费电子领域的卓越表现。

应用

WFP50N06主要应用于以下几个领域：
　　1. 开关电源和适配器，用于高效能量转换。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机控制。
　　3. 汽车电子系统中的负载切换。
　　4. DC-DC转换器以实现电压调节。
　　5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
　　凭借其强大的性能，WFP50N06成为许多工程师设计中的首选元件。