时间：2025/8/6 2:47:00
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IXFN50N800Q2 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier，简称 IR）制造的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高功率、高频开关应用而设计，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器等高效率功率电子系统。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻（Rds(on)）和开关性能，同时具备高耐压能力和良好的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：50A
漏源电压（VDS）：800V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：100nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1950pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247AC
IXFN50N800Q2 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力的结合，使其在高功率应用中表现出色。该器件在 800V 的漏源电压下可提供高达 50A 的连续漏极电流，适合用于高效率电源转换器设计。其先进的沟槽型 MOSFET 结构显著降低了导通损耗，同时优化了开关损耗，从而提高了整体能效。
此外，该器件具备良好的热稳定性和过热保护能力，在高负载和高温环境下仍能保持稳定运行。其高栅极电荷（Qg）特性虽然可能增加驱动电路的负担，但也意味着在高频开关应用中具备更强的抗干扰能力。IXFN50N800Q2 的 TO-247AC 封装形式具有良好的散热性能，适合焊接在标准的功率电路板上。
该 MOSFET 还具备出色的雪崩能量承受能力，能够有效防止因电压突变或负载突变导致的器件损坏，从而提升系统的可靠性和使用寿命。
IXFN50N800Q2 被广泛应用于各种高功率电子系统中，如工业电源、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动、逆变器、太阳能逆变器以及各类高频开关电源。其高耐压能力和低导通电阻使其在高效率功率转换系统中具有显著优势。
在工业自动化系统中，该器件可用于驱动大功率负载，如交流/直流电机、电磁阀、继电器等。在电源管理系统中，它常用于主功率开关，提供高效的能量转换能力。此外，IXFN50N800Q2 也适用于通信电源、服务器电源以及电动汽车充电系统等高要求的功率应用领域。
由于其良好的高频开关特性和耐压能力，IXFN50N800Q2 也适用于谐振转换器和软开关拓扑结构，如 LLC 谐振变换器、ZVS（零电压开关）和 ZCS（零电流开关）电路。
IXFN44N80Q2, IXFN60N80Q2, IRFP840, FQA50N80
