时间：2025/9/14 17:22:09
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BUK9Y12-100E,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于汽车电子、工业电源和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：200A（@Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK9Y12-100E,115 以其卓越的导通性能和热稳定性著称。该器件采用了先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，同时具备较低的开关损耗，适合高频开关操作。
此外，该MOSFET具有良好的热管理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行，适用于严苛的工业和汽车环境。其坚固的封装设计提供了出色的机械稳定性和散热性能，确保器件在高温下仍能正常工作。
该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围宽泛，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计和集成。
BUK9Y12-100E,115 被广泛应用于多个领域，包括但不限于汽车电子系统（如电动助力转向、电池管理系统和车载充电器）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、工业电源以及功率因数校正（PFC）电路等。
在汽车应用中，该器件常用于高电流负载管理，如启动电机、电动泵和加热系统。在工业领域，其高效率和高可靠性使其成为电源模块、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器的理想选择。
由于其优异的热性能和高电流能力，BUK9Y12-100E,115 也常用于高功率密度设计，例如服务器电源和电信设备中的DC-DC砖式模块。
SiHF120N10T-GE3, IPP120N10S4-03, FDP120N10
