IRF7490是一款由Infineon(英飞凌)推出的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的Trench技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他电力电子应用。其额定电压为60V,能够承受较大的电流负载,同时具备出色的热性能和可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:58A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,于Vgs=10V时)
栅极电荷:36nC(典型值)
输入电容:1950pF(典型值)
工作结温范围:-55℃至+175℃
IRF7490采用了Trench MOSFET技术,从而显著降低了导通电阻和开关损耗。此外,它还具备以下特点:
1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗。
2. 较小的栅极电荷和输出电荷,有助于实现更快的开关速度。
3. 高额定电流能力,适用于大功率应用环境。
4. 良好的热稳定性,能够在高温环境下长期可靠运行。
5. 紧凑的封装设计(TO-247),便于散热和安装。
这些特性使得IRF7490成为高效率、高性能电力电子系统的理想选择。
IRF7490主要应用于需要高效功率转换和低损耗的场景中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或降压/升压控制器。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 太阳能逆变器和其他能源管理系统。
5. 工业控制和自动化设备中的功率转换模块。
由于其低导通电阻和高电流能力,IRF7490在上述应用中表现出色,能够提供卓越的效率和可靠性。
IRF7489, IRF7491