时间：2025/8/6 2:33:36
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IXFN50N120SK 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高电压和高电流的工业应用。这款器件的额定电压为 1200V，额定电流为 50A，适用于高效率电源转换系统、电机驱动和逆变器等场合。其封装形式为 TO-264，支持快速开关操作并具备良好的热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
漏极电流（Id）：50A（Tc=25℃）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V~6.5V
导通电阻（Rds(on)）：180mΩ（最大）
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-264
最大功率耗散（Ptot）：300W
IXFN50N120SK 采用先进的沟槽栅技术和场截止设计，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该器件具备卓越的热管理性能，能够有效应对高温环境下的运行需求。其高耐压能力（1200V）和大电流承载能力（50A）使其非常适合高功率应用。此外，该 MOSFET具有较低的开关损耗，有助于提高电源转换系统的整体效率。TO-264 封装设计便于安装和散热管理，适用于多种工业和电力电子系统。
该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动要求适中，适合与常见的栅极驱动IC配合使用，简化了电路设计。IXFN50N120SK 在高温下仍能保持稳定的电气性能，是高可靠性应用的理想选择。
IXFN50N120SK 广泛应用于各种高功率电子设备中，如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、焊接设备和高压直流电源转换系统。它在需要高电压隔离和高效能转换的场合中表现出色，适用于要求高可靠性和高效率的工业控制和电力电子系统。此外，该器件还可用于电动汽车充电设备、高频电源变换器以及各类工业自动化设备中的功率开关电路。
IXFN50N120TF, IXFN44N120, IXFH50N120
