时间：2025/9/2 4:27:52
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H9TU33A6ADMCLR-KDM 是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片设计用于提供高性能和低功耗特性，适用于多种电子设备，如移动设备、嵌入式系统和计算设备。
类型：DRAM
容量：3GB
电压：1.8V
数据速率：1600Mbps
封装类型：BGA
封装尺寸：120-TFBGA
温度范围：-40°C ~ 85°C
H9TU33A6ADMCLR-KDM 具备低电压操作能力，支持1.8V的电源供应，使其在功耗方面表现优异。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，提供高密度和优异的电气性能。其数据速率为1600Mbps，确保了高速数据传输能力，适用于需要高性能存储的场景。
此外，该芯片的温度范围为-40°C至85°C，使其能够在各种环境条件下稳定工作。其封装尺寸为120-TFBGA，适合在空间受限的应用中使用。H9TU33A6ADMCLR-KDM还支持多种低功耗模式，有助于延长电池供电设备的使用时间。
H9TU33A6ADMCLR-KDM 主要用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及便携式电子产品等需要高效能和低功耗存储的应用场景。其高速数据传输能力和紧凑的封装设计使其成为移动设备和高性能计算系统的理想选择。
H9TP32A8JDACLR-KDM, H9TQ17A8JDTACUR-KDM
