时间：2025/8/6 9:33:09
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IXFN48N50U2是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率密度电源转换应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，适用于诸如DC-DC转换器、电源开关、马达控制以及高效率电源供应器等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：48A
RDS(on)（最大值）：0.14Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压：2V ~ 4V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
IXFN48N50U2具备多项优良的电气特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET具有高击穿电压（500V），能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的工作。此外，IXFN48N50U2的热阻较低，有助于提升器件在高负载条件下的散热性能，从而延长使用寿命并增强可靠性。
该器件还具有快速开关特性，减少了开关损耗，并支持高频操作，适用于高效率的开关电源（SMPS）设计。此外，IXFN48N50U2采用TO-247封装，具有良好的机械稳定性和电气绝缘性能，便于安装在散热片上，进一步优化散热效果。该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行。
IXFN48N50U2广泛应用于多种高功率电子设备中，例如工业电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、马达驱动器以及LED照明驱动电源等。其高效率和高可靠性的特点，使其成为高性能电源设计的理想选择。此外，该器件也适用于家用电器和汽车电子系统中的功率控制模块，能够有效提升整体系统的能效和稳定性。
IXFH48N50P2, IRFP4868, FDPF48N50U
