时间：2025/5/24 20:00:33
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FV56N103J102EGG 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合各种工业和消费类电子应用。
该型号属于 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）推出的 MOSFET 系列，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类高效能电路设计中。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：5.6mΩ
栅极电荷（典型值）：49nC
输入电容：1830pF
总功耗：10W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，能够满足高频应用的需求。
3. 出色的热稳定性，确保在高温环境下依然可靠运行。
4. 小型封装设计，节省电路板空间。
5. 具备良好的静电防护能力，增强器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
此款 MOSFET 的低 Rds(on) 和高速开关特性使其成为许多功率转换应用的理想选择，同时其紧凑的设计也适应现代电子产品对小型化的要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动
4. 工业自动化设备
5. 消费类电子产品中的负载开关
6. 电池管理系统（BMS）
7. 通信电源
由于 FV56N103J102EGG 在效率、散热和可靠性方面的优势，它特别适合需要高功率密度和高效能的应用场景。
FDS6582,
FDP5600,
IRFZ44N,
STP10NK06Z
