时间：2025/7/19 3:24:16
阅读：2
IXFN44N50 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高功率开关应用，具有低导通电阻、高耐压能力及良好的热性能。其额定漏源电压（VDS）为 500V，连续漏极电流（ID）为 44A，适合用于电源转换、马达控制、DC-DC 转换器以及逆变器等场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：500V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：44A
脉冲漏极电流(IDM)：176A
导通电阻(RDS(on))：最大值 0.165Ω（典型值 0.135Ω）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXFN44N50 的主要特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。在高功率应用中，这一特性尤为重要，因为它可以减少发热并提高整体性能。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，在短时间内可承受较大的脉冲电流（IDM 高达 176A），适用于需要瞬态过载能力的应用场景。
另一个关键特性是其高耐压能力，漏源电压额定为 500V，使其适用于多种中高功率开关电源和逆变器设计。器件采用 TO-247 封装，具备良好的热管理性能，便于散热器安装，提高器件在高负载条件下的稳定性。
该 MOSFET 还具有快速开关特性，能够在高频开关条件下保持较低的开关损耗。这对于提高电源转换效率、减小磁性元件体积以及提升整体系统性能非常关键。此外，其栅极驱动电压范围为 ±20V，与常见的驱动电路兼容，便于设计和集成。
IXFN44N50 广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、马达驱动器以及工业控制设备。在开关电源中，该器件可用于功率因数校正（PFC）电路或主开关拓扑结构，如半桥、全桥或 LLC 谐振转换器，以提高转换效率和可靠性。在马达控制和工业自动化系统中，IXFN44N50 可用于 H 桥拓扑结构，实现对直流或交流马达的高效控制。此外，该 MOSFET 也可用于太阳能逆变器、电动车充电器、UPS（不间断电源）系统等高功率应用领域，提供高效率、高稳定性的功率开关解决方案。
IXFH44N50, IRFP460, IXFN48N50, FDPF44N50, SPW47N50C3
