IXFN48N60 时间：2025/8/6 0:17:48 阅读：17

IXFN48N60 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场合。该器件具有较高的导通性能和较低的开关损耗，适用于如电源转换器、电机驱动器、焊接设备、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等电力电子系统中。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）：48A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约 4.5V（范围一般为 2.5V 至 6V）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.13Ω（最大值为 0.16Ω）
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXFN48N60 的主要特性之一是其高耐压能力，能够在高达 600V 的漏源电压下稳定工作，这使其适用于高压功率转换应用。此外，该 MOSFET 具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（48A 连续漏极电流）使其适用于高功率密度设计。
　　该器件采用 TO-247AC 封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以提高散热效率。其栅极驱动电压一般为 10V 至 15V，以确保完全导通并降低 RDS(on)。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外围电路的尺寸并提高系统响应速度。
　　该器件具有较高的抗雪崩能力，能够在异常工况下提供一定的保护，提高系统的可靠性。其工作温度范围较宽（-55°C 至 +150°C），可在恶劣环境下稳定运行。

应用

IXFN48N60 广泛应用于各种高功率电子系统中。例如，在电源转换器中，它可以用作主开关，实现高效的 DC-DC 或 AC-DC 转换。在电机驱动系统中，该 MOSFET 可用于控制直流电机或步进电机的运行，提供高效率和稳定的性能。
　　在焊接设备中，IXFN48N60 可用于调节电流输出，实现精确的焊接控制。在不间断电源（UPS）系统中，它可以用作逆变器开关，将直流电转换为交流电以在市电中断时提供持续供电。
　　此外，该器件还适用于太阳能逆变器，用于将光伏板产生的直流电转换为交流电并馈入电网。在电动汽车充电系统中，该 MOSFET 也可用于功率调节模块，实现高效的电能转换。