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ASMD050F 发布时间 时间:2025/7/15 19:02:29 查看 阅读:8

ASMD050F是一款由Alliance Memory(现为ISSI的一部分)制造的低功耗、高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM),采用异步设计,适用于需要高速数据访问和低功耗特性的应用场合。该器件通常用于嵌入式系统、工业控制设备以及网络通信设备中。

参数

容量:512Kbit
  组织方式:64K x 8位
  电源电压:3.3V
  访问时间:55ns(最大值)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)

特性

ASMD050F具备高速访问能力,其最大访问时间为55ns,能够满足实时系统对数据读写速度的要求。
  该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时显著降低功耗,非常适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。
  它具有宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C),使其能够在恶劣环境条件下稳定运行。
  此外,ASMD050F采用TSOP封装形式,减小了PCB板的空间占用,并提升了散热性能。
  该SRAM支持异步操作模式,无需时钟信号即可进行读写操作,简化了系统设计并提高了灵活性。

应用

ASMD050F广泛应用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块、消费类电子产品及汽车电子系统等众多领域,尤其是在对速度与功耗都有较高要求的设计中表现优异。

替代型号

IS61LV5128AL-55BLLI

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