时间：2025/8/6 12:56:09
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IXFN39N90 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有较高的导通性能和较低的开关损耗，适用于工业电机控制、电源转换、电动汽车和可再生能源系统等要求严苛的电力电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：900V
最大漏极电流（ID）：39A
导通电阻（RDS(on)）：0.14Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：5V（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247AC
IXFN39N90 MOSFET 采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻和高效的开关性能，从而减少了导通损耗和开关损耗。该器件还具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下正常工作。此外，该MOSFET的封装设计提供了良好的散热性能，有助于提高整体系统的效率和稳定性。其坚固的结构和良好的雪崩能量能力也使其适用于高应力工作环境。
在电气性能方面，IXFN39N90 提供了快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少高频应用中的开关损耗。其高耐压能力（900V）使得该器件适用于高电压电源转换系统，例如DC-DC转换器、逆变器以及UPS系统。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至15V之间工作，从而提高了驱动电路的设计灵活性。
IXFN39N90 主要用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动器、变频器、DC-DC升压/降压转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及各种高功率开关电源。由于其良好的导通和开关性能，该器件也广泛应用于高频电源变换系统中，以提高整体系统的能效和响应速度。
IXFN36N90, IXFH39N90, IXFN40N80
